摘要

微流控封裝貼合平面度直接影響器件密封性能與工作穩定性，優化平面度并采用精準檢測技術，是提升微流控芯片質量的關鍵。白光干涉測量技術憑借非接觸、納米級精度的優勢，可高效實現平面度檢測與優化效果驗證。本文針對微流控封裝貼合平面度存在的偏差問題，提出優化方案，結合白光干涉測量技術開展檢測實驗，驗證優化效果，為微流控封裝工藝升級提供技術支撐。

關鍵詞

微流控封裝；貼合平面度；優化方案；白光干涉測量；檢測技術

引言

微流控芯片封裝過程中，貼合平面度易受工藝參數影響出現偏差，引發基底縫隙、流體泄漏等問題，限制器件應用。傳統平面度檢測方法精度不足，難以滿足優化后平面度的檢測需求。白光干涉測量可精準表征貼合面微觀形貌，快速捕捉平面度缺陷，為平面度優化方案的制定與效果驗證提供可靠技術手段，助力提升封裝質量。

實驗方案

實驗選用硅基微流控封裝件，封裝面尺寸20mm×20mm，針對熱鍵合工藝參數優化，調整鍵合壓力與溫度以改善平面度。搭建白光干涉測量檢測平臺，調試光路確保檢測精度，分別對優化前后的封裝件進行全域掃描，采集平面度數據，對比分析優化效果，結合密封測試驗證平面度優化對器件性能的提升作用。

實驗結果與分析

實驗表明，通過優化鍵合工藝參數，微流控封裝貼合平面度偏差由優化前的0.01mm降至±0.004mm以內。白光干涉測量檢測精度達±2nm，可清晰呈現優化前后平面度缺陷的變化，優化后平面度缺陷發生率下降80%，器件密封性能顯著提升。分析可知，工藝參數優化可有效改善平面度，白光干涉測量技術能精準檢測優化效果，為封裝工藝優化提供數據支撐。

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