引言

CMOS芯片作為半導體封裝領域的核心器件，共面度精度直接決定倒裝、固晶工序的穩定性，共面度偏差會導致倒裝貼合錯位、固晶受力不均，進而引發芯片封裝失效、可靠性下降。當前，CMOS芯片朝著微型化、高密度倒裝封裝方向發展，共面度測量精度要求達納米級，傳統測量技術難以精準捕捉微小偏差，無法解決倒裝、固晶過程中的受力不均問題，因此，采用白光干涉測量技術構建共面度檢測方案，是解決倒裝、固晶受力不均，保障CMOS芯片封裝質量的關鍵。

共面度偏差的危害及測量難點

CMOS芯片共面度偏差主要表現為芯片表面起伏、引腳/焊盤高度不一致，會直接導致倒裝封裝時芯片與基板貼合不緊密，產生局部間隙，進而引發固晶工序中膠體受力不均、芯片應力集中；長期運行下，受力不均會導致芯片開裂、焊盤脫落，甚至引發電路短路，嚴重影響器件使用壽命。此外，CMOS芯片尺寸微小、表面結構復雜，共面度測量需同步檢測芯片表面與焊盤的高度差，傳統測量技術精度不足、抗干擾能力弱，難以精準捕捉微小共面度偏差，無法為倒裝、固晶工序提供可靠數據支撐。

實踐表明，CMOS芯片共面度僅0.2μm的偏差，就會導致倒裝貼合錯位率提升45%，固晶受力不均概率增加50%，封裝合格率下降30%以上。批量生產中，傳統測量效率低下，難以適配在線管控，易導致不合格產品流入下游，大幅增加生產成本與售后風險。

白光干涉測量方案及優勢

針對CMOS芯片共面度偏差及倒裝、固晶受力不均問題，構建基于白光干涉測量技術的共面度精準檢測方案。該方案利用白光干涉的高相干性與高分辨率特性，通過精準掃描芯片表面及焊盤，快速重構三維輪廓，精準獲取共面度偏差、焊盤高度差等關鍵參數，為倒裝、固晶工序的參數調整提供精準依據，從源頭解決受力不均問題。

該方案具備高精度、非接觸、高效率的核心優勢，測量精度達納米級，可有效避免測量過程中對芯片的損傷，檢測效率較傳統方法提升8倍以上，適配批量生產在線管控需求。通過該方案，可精準把控共面度精度，優化倒裝貼合與固晶工藝，解決受力不均隱患，提升CMOS芯片封裝可靠性，為芯片生產質量管控提供可靠技術支撐。新啟航 專業提供綜合光學3D測量方案

多功能面型干涉儀——CMOS芯片精密測量解決方案

多功能面型干涉儀，以“分層掃描+200mm大視野+納米精度”為核心，單臺設備即可實現亞微級平面度、深孔臺階、陡峭錐面角度與3D輪廓的一站式精密測量，精準適配CMOS芯片全場景檢測需求，賦能半導體產業精密管控。

四大核心技術革新

一、大視野平面度測量，兼顧精度與效率

突破行業痛點，解決傳統白光干涉技術“小視場高精度、大視場精度不足”的難題，實現大視場下的亞微米級測量能力與納米級精度保障。設備可達到極致75nm平面度測量精度，單視場23mm一次成像，支持拼接擴展至200mm超大視場，高效適配CMOS芯片大視野形貌測量需求。

（圖示為CMOS感光芯片大視野形貌測量，清晰呈現芯片全域形貌，為芯片整體質量檢測提供支撐）

（圖示為實測COB感光芯片局部形變圖，精準捕捉芯片局部形變細節，助力芯片性能優化）

二、自動化批量測量，適配規模化需求

單幅視野可達23×18mm，支持最大200mm視野全自動跑點測量，大幅提升測量效率，適配CMOS芯片批量檢測場景。針對更大視野、更高要求的特殊應用場景，可提供專屬非標定制方案，滿足多樣化檢測需求。

三、上下平面平行度測量，突破檢測局限

采用獨特光路設計，可透過CG玻璃實現內部COB感光芯片形變測量，無需拆解樣品，避免對芯片造成損傷，精準獲取芯片內部形變數據，為芯片封裝及性能檢測提供可靠依據。

四、非標定制+動態測量，拓展應用邊界

支持非標定制方案，可在真空腔體內完成溫度變化過程中的ODS工作形變測量，實現實時動態3D形貌監控，適配CMOS芯片極端環境下的檢測需求，進一步拓展設備應用場景。

新啟航半導體，專業提供綜合光學3D測量解決方案，深耕CMOS芯片檢測領域，以核心技術賦能半導體產業高質量發展！