側壁垂直度是MEMS微溝槽、懸臂梁等微結構的核心成型指標，直接決定器件鍵合精度、力學與電學性能。光刻、干法刻蝕等工序異常，易引發側壁傾斜、頂部擴口、底部縮徑等缺陷，造成器件卡滯、性能漂移、批量失效等問題。傳統二維顯微觀測僅能局部形貌觀測，無法量化垂直度偏差，難以精準定位成型故障根源。

白光干涉儀依托低相干干涉原理，具備納米級三維全域無損掃描能力，可精準獲取微結構側壁三維輪廓與傾角數據，量化垂直度偏差，區分側壁形變類型。基于實測三維數據可逆向溯源制程故障：光刻膠涂布不均、曝光偏移易造成圖形畸變；刻蝕腔體氣壓、氣體配比失衡及離子轟擊不均，會破壞刻蝕各向異性，是垂直度超差的核心因。

采用大視野3D白光干涉儀可突破傳統設備局限，搭載0.6倍輕量化鏡頭，擁有15mm超大單幅視野，單設備可兼顧大視野觀測與納米級高精度測量，表面粗糙度檢測精度可達0.006 nm，適配MEMS全流程質檢需求。經設備持續參數監測與工藝優化，校準刻蝕氣路與離子束均勻性、調整光刻參數后，MEMS結構側壁垂直度回歸工藝標準，成型一致性與產品良品率顯著提升，有效解決制程隱性故障。新啟航 專業提供綜合光學3D測量方案

參考文獻

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